在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故...在一般分布式MOSFET元件（discrete device）中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因?yàn)槭褂猛粋€(gè)基極（comm...
場效應(yīng)管MOS管生產(chǎn)廠家KIA電子，專業(yè)生產(chǎn)從事各種大功率半導(dǎo)體器件與功率集成器...場效應(yīng)管MOS管生產(chǎn)廠家KIA電子，專業(yè)生產(chǎn)從事各種大功率半導(dǎo)體器件與功率集成器件的設(shè)計(jì)，生產(chǎn)和銷售。是中國大功率半導(dǎo)體器件的銷售企業(yè)。且本公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于...
MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因...MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作...
?碳化硅材料半導(dǎo)體，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，目前碳化硅成本下降很多，但是據(jù)市場...?碳化硅材料半導(dǎo)體，雖然隨著技術(shù)的發(fā)展，目前碳化硅成本下降很多，但是據(jù)市場價(jià)格表現(xiàn)同類型的硅材料與碳化硅材料的半導(dǎo)體器件價(jià)格相差十倍有余。碳化硅單晶體可...
測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電...測量場效應(yīng)管的源極與漏極、柵極與源極、柵極與漏極、柵極Ｇ1與柵極Ｇ2之間的電阻值同場效應(yīng)管手冊(cè)標(biāo)明的電阻值是否相符去判別管的好壞。
半導(dǎo)體功率器件被廣泛應(yīng)用于汽車電子，網(wǎng)絡(luò)通訊等各大領(lǐng)域，目前最具代表性的兩...半導(dǎo)體功率器件被廣泛應(yīng)用于汽車電子，網(wǎng)絡(luò)通訊等各大領(lǐng)域，目前最具代表性的兩種功率器件即為絕緣柵MOS管場效應(yīng)晶體管(IGBT)和超結(jié)MOSFET(Super-junctionMOSFET)...
