mos管KIA4N65H-產品特征：1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V 2、低門電荷（典型的16nC...mos管KIA4N65H-產品特征：1、RDS(on)=2.5?@VGS=10V 2、低門電荷（典型的16nC） 3、高韌性 4、快速切換 5、N100%雪崩試驗 6、改進的dv/dt能力
介紹低功耗mos管供應商信息及MOS管選型及參數資料介紹，隨著計算機技術和微電子...介紹低功耗mos管供應商信息及MOS管選型及參數資料介紹，隨著計算機技術和微電子技術的迅速發展，嵌入式系統應用領域越來越廣泛。節能是全球化的熱潮，如計算機里的...
mos管KIA2302-產品主要參數：1、產品型號：KIA2302 2、工作方式：3.0A/20V ...mos管KIA2302-產品主要參數：1、產品型號：KIA2302 2、工作方式：3.0A/20V 3、漏源極電壓：20V 4、柵源電壓：±8V 5、脈沖漏電流：10A 6、連續電源電流（二...
P溝道mosfet的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的...P溝道mosfet的空穴遷移率低，因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下，PMOS晶體管的跨導小于N溝道mosfet。此外，P溝道mosfet閾值電壓的絕對值普通...
深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)...深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩壓管開發設計，集研發、生產和銷售為一體的國家高新技術企...
MOS管導通電阻小，可以降低導通時的功耗。但無論什么元件器件，追求某項指標必...MOS管導通電阻小，可以降低導通時的功耗。但無論什么元件器件，追求某項指標必會影響其它指標。以MOS管來說，高耐壓與低電阻是矛盾的，不可兼得，所以不能說導通電...
