在线播放av网站_黑人巨大精品欧美一区二区小视频_日本亚洲视频在线_成年人在线观看网站

快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用?？旎謴投O管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓（耐壓值）較高。

下面例舉的是用于高耐壓、高電流的二極管，但按照其特性、特征、制造工藝可進行以下分類。此時，對二極管基本的應用條件而言，特性和性能已優化。

整流二極管的特征

在這里，將整流二極管分為以下4類：通用整流用、通用開關用、肖特基勢壘二極管、快速恢復二極管4種類型，特征匯總于下表。

通用型一般用于整流，主要目的是將交流整流為直流。橋式二極管是整流用的二極管組合。另外，用于無意中電源或電池反接時，保護用于防止過電流流過。正向電壓VF因工作電流而異，1V左右為標準。這是硅PN結二極管的普通VF。反向恢復時間trr是以50Hz/60Hz的商用電源的整流為前提，以不是特別快的為標準。

開關型，用途如其字面所示，主要用于電源的切換。VF標準與通用型相同。因為以開關用途為目的，所以trr比通用型更快。但是，還達不到肖特基勢壘二極管或快速恢復二極管的速度，其開關特性僅定位于比通用型快。

肖特基勢壘二極管（SBD）不是PN結，而是利用金屬和半導體如N型硅的形成肖特基勢壘（Barrier）。與PN結二極管相比，肖特基勢壘二極管（SBD）具有VF更低，開關特性更快的特征。但是，其反向漏電流IR較大，在某些條件下會導致熱失控，務請注意。即使流經高達諸如10A的大電流，VF值也大約為0.8V；如果流經幾A的電流，VF值大約為0.5V。因此，其典型用途就是用于追求高效的DC/DC轉換器或AC/DC轉換器的二次側。

快速恢復二極管（FRD）雖是PN結二極管，但卻是trr得以大幅改善的高速二極管。此時，SBD的耐壓（反向電流VR）在200V以下，但FRD能達到800V高耐壓。但是，一般而言，其VF比通用型高，如果是高耐壓大電流規格，標準值大約為2V，但近年來，VF值降低的型號也有增加。因其高耐壓和高速性，所以多用于AC/DC轉換器或逆變器電路。

下圖是上述內容的圖解。此時，并非僅限于上述四種類型，同時也表示了Si二極管的基本溫度特性。

再重復一遍，左圖表示SBD與其他三種二極管相比，VF較低，IR較大。

中間圖是將SBD與FRD之外的兩種二極管相比，其trr快很多，trr間流動的正向電流IR越大，損耗越大。

Si二極管的基本溫度特性，高溫狀態時，VF下降，IR增加。

概述副邊整流二極管的尖峰

開關電源產生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。

不采取任何措施時輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現在開關脈沖的上升沿和下降沿。即開關管的導通和截止，通常導通時尖峰更大一些。

整流二極管的尖峰抑制的10種方法！

前沿尖峰的一些抑制方法

1、選用軟恢復特性的肖特基二極管，或采用在整流管前串聯電感的方法比較有效，或在開關管整流管的磁珠。磁芯材料選用對高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料，等。

2、在二次側接入RC吸收回路可進一步減小前沿尖峰的幅值，降低二極管恢復過程中的振蕩頻率。

3、多個整流二極管并聯；適當增大整流二極管的電流容量，可相對減小反向恢復時的關斷時間，限制反向短路電流的數值，可抑制電流尖峰和降低導通損耗。

4、盡量使元件布局走線合理 ，減小大電流回路的面積，對EMI的抑制也比較有效。

后沿尖峰的抑制方法

5、選用開關速度快的整流二極管

6、選用高導磁率的磁芯，變壓器設計時激磁電流盡可能小

7、選用高磁通密度的材料，確保在惡劣環境下變壓器不會飽和。可取B值為飽和值的一半或1/3

8、選用閉合磁路的罐形或PQ磁芯減小漏磁。

9、高頻變壓器繞制盡量減小漏感。采用夾心繞法或三文治繞法。繞線盡量均勻分布在骨架上。選用漆包線時要考慮到趨膚效應。

10、在開關管的D-S之間并聯RC吸收回路。

聯系方式：鄒先生

聯系電話：0755-83888366-8022

手機：18123972950

QQ：2880195519

聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1

請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號

請“關注”官方微信公眾號:提供  MOS管  技術幫助