3650現貨供應商 KIA3650 60A/500V PDF文件 3650參數詳細資料-KIA 官網
信息來源：本站 日期：2018-02-07
高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計，高速開關電源，轉換器和PWM電機控制中的應用程序，這些設備特別適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。
KCM3650特征
強大的高壓終止
雪崩能量
源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管
二極管的特點是用于橋式電路
IDSS和VDS（上）指定高溫
隔離安裝孔減少安裝硬件
KCM3650參數指標
產品型號：KIA3650
工作方式：60A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±20V
漏電流連續：60A
脈沖漏極電流：180A
雪崩能量：1280mJ
耗散功率：54W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：3180 PF
輸出電容:4400 PF
上升時間：52 ns
封裝形式：TO-220F、TO-247
 |
KCM3650（60A 500V） |
| 產品編號 | KCM3650A |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產品工藝 |
高電壓MOSFET采用先進的終止方案，提供增強的電壓。不隨時間降低性能的阻塞能力。此外，這種先進的MOSFET設計能夠承受高能量的雪崩和減刑模式。新的節能設計還提供了一個快速恢復時間二極管源漏。高電壓設計，高速開關電源，轉換器和PWM電機控制中的應用程序。 |
| 產品特征 |
強大的高壓終止 雪崩能量 源漏二極管恢復時間相當于分立快恢復二極管 二極管的特點是用于橋式電路 IDSS和VDS（上）指定高溫 隔離安裝孔減少安裝硬件 |
| 適用范圍 |
主要適用于橋式電路，二極管速度和換向安全操作區域。關鍵和提供額外的和安全邊際對意外電壓瞬變。 |
| 封裝形式 | TO-220F、TO-247 |
| PDF文件 |
 【直接在線預覽】 |
| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網址 | m.04020b.com |
| PDF頁總數 | 總5頁 |
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
關注KIA半導體工程專輯請搜微信號:“KIA半導體”或點擊本文下方圖片掃一掃進入官方微信“關注”
長按二維碼識別關注
