KIA10N80參數

功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖。這些設備非常適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲。

KIA10N80特點

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低柵極電荷（典型的63nc）

高耐用性

快速切換的能力

雪崩能量

改進的dt／dt能力

ESD能力提高

產品型號：KIA10N80

工作方式：10A/800V

漏源電壓：800V

柵源電壓：±25V

漏電流連續：10A

脈沖漏極電流：40A

雪崩能量：350mJ

耗散功率：42W

熱電阻：62.5℃/W

漏源擊穿電壓：800V

溫度系數：0.8V/℃

柵極閾值電壓：2.0V

輸入電容：2230 PF

輸出電容：135 PF

上升時間：35 ns

封裝形式：TO-220F、TO-3P

	KIA10N80（10N80）
產品編號	KIA10N80/HF/HH
FET極性	N溝道MOSFET
產品工藝	功率MOSFET采用先進的平面條形DMOS工藝生產的起亞。這先進已特別定制，以盡量減少對國家的阻力，提供優越的開關。性能，在雪崩和換流模式下承受高能量脈沖
產品特征	RDS(on) =0.85? @ VGS =10V 低柵極電荷（典型的63nc）高耐用性快速切換的能力雪崩能量改進的dt／dt能力 ESD能力提高
適用范圍	主要適合于高效率開關電源，有源功率因數校正的基礎上半橋拓撲
封裝形式	TO-220F、TO-3P
PDF文件	【直接在線預覽】
LOGO
廠家	KIA原廠家
網址	m.04020b.com
PDF總頁數	總5頁