2N60現(xiàn)貨供應(yīng)商 KIA2N60中文資料 PDF文件 2N60參數(shù)資料-KIA 官網(wǎng)
信息來源：本站 日期：2018-01-27
KIA2N60參數(shù)
KIA2N60 N溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計高壓，高速功率開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)變換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序。
KIA2N60特征
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型9NC）
高耐用性
快速切換的能力
雪崩能量
改進的dt／dt能力
產(chǎn)品型號：KIA2N60
工作方式：2A/600V
漏源電壓：600V
柵源電壓：±30V
漏電流連續(xù)：2.0*A
脈沖漏極電流：8*A
雪崩能量：12mJ
耗散功率：44W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：600V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：200 PF
輸出電容：20 PF
上升時間：25 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F
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KIA2N60（2A/600V） |
| 產(chǎn)品編號 | KIA2N60/HD/HF/HP/HU/OP/PF/PP/PU/U |
| FET極性 | N溝道MOSFET |
| 產(chǎn)品工藝 |
kia2n60hN溝道增強型硅柵功率MOSFET的設(shè)計高壓，高速功率開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)變換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序 |
| 產(chǎn)品特征 |
RDS（ON）= 4.1Ω@ V GS = 10v 低柵極電荷（典型9NC） 高耐用性 快速切換的能力 雪崩能量 改進的dt／dt能力 |
| 適用范圍 |
主要適用于功率開關(guān)應(yīng)用，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)變換器，螺線管，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動程序 |
| 封裝形式 | TO-251、TO-252、TO-220、TO-220F |
| PDF文件 |
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| LOGO |
 |
| 廠家 | KIA原廠家 |
| 網(wǎng)址 | m.04020b.com |
| PDF頁數(shù) | 總6頁數(shù) |
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
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