電機驅(qū)動mos管,KIA35P10AD場效應(yīng)管參數(shù),TO-252-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-10-11
KIA35P10AD場效應(yīng)管采用先進的溝槽MOSFET技術(shù)，在電機控制和驅(qū)動、電池管理、UPS不間斷電源中熱銷，漏源擊穿電壓-100V, 漏極電流-35A ，RDS（ON）值為32mΩ，提供出色的RDS（ON）和柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，最小化開關(guān)損耗；優(yōu)秀的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），提供卓越的開關(guān)性能，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，性能穩(wěn)定可靠；封裝形式：TO-252。
工作方式：-35A/ -100V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流:-135A
單脈沖雪崩能量:95mJ
最大功耗：94W
操作和儲存溫度范圍：-55℃至+150℃
漏源擊穿電壓：-100V
柵源漏電流:±100nA
輸入電容：5700pF
輸出電容：170pF
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
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