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關(guān)于LED開關(guān)損耗與功率MOS 管

信息來源：本站　日期：2017-05-09　

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1.開關(guān)損耗與功率MOS管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)燒可以從以下幾個(gè)方面解決：A、不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，由于內(nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。對(duì)于前者，留意不要將負(fù)載電壓設(shè)置的太高，固然負(fù)載電壓高，效率會(huì)高點(diǎn)。如果芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)燒。有的工程師沒有留意到這個(gè)現(xiàn)象，直接調(diào)節(jié)sense電阻或者工作頻率達(dá)到需要的電流，這樣做可能會(huì)嚴(yán)峻影響LED的使用壽命。在均勻電流不變的條件下，只能看著光衰了。不管如何降頻沒有好處，只有壞處，所以一定要解決。

2.主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。對(duì)于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面：a、將最小電流設(shè)置的再小點(diǎn);b、布線干凈點(diǎn)，特別是sense這個(gè)樞紐路徑;c、將電感選擇的小點(diǎn)或者選用閉合磁路的電感;d、加RC低通濾波吧，這個(gè)影響有點(diǎn)不好，C的一致性不好，偏差有點(diǎn)大，不外對(duì)于照明來說應(yīng)該夠了。

3、LED電流大小終于談到重點(diǎn)了，我還沒有入門，只能瞎說點(diǎn)飽和的影響了。也但愿有專家能給個(gè)詳細(xì)指標(biāo)，要不然影響LED的推廣。 B、剩下的就是頻率和驅(qū)動(dòng)能力了，這里只談?lì)l率的影響。想辦法降低頻率吧！不外要留意，當(dāng)頻率降低時(shí)，為了得到相同的負(fù)載能力，峰值電流必定要變大或者電感也變大，這都有可能導(dǎo)致電感進(jìn)入飽和區(qū)域。假如散熱解決的不好的話，LED一定要降額使用。

4、工作頻率降頻功率管的功耗分成兩部門，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。變壓器飽和時(shí)，L會(huì)變小，導(dǎo)致傳輸delay引起的峰值電流增量急劇上升，那么LED的峰值電流也隨著增加。要留意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要弘遠(yuǎn)于導(dǎo)通損耗。

5、芯片發(fā)燒
建議仍是盡量控制小點(diǎn)。再簡(jiǎn)樸一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。

LEDripple過大的話，LED壽命會(huì)受到影響，影響有多大，也沒見過哪個(gè)專家說過。輸入電壓和負(fù)載電壓的比例小、系統(tǒng)干擾大。頻率與導(dǎo)通損耗也成正比，所以功率管發(fā)燒時(shí)，首先要想想是不是頻率選擇的有點(diǎn)高。所以說，在設(shè)計(jì)前，公道的計(jì)算是必需的，假如理論計(jì)算的參數(shù)和調(diào)試參數(shù)差的有點(diǎn)遠(yuǎn)，要考慮是否降頻和變壓器是否飽和。以前問過LED廠這個(gè)數(shù)據(jù)，他們說30%以內(nèi)都可以接受，不外后來沒有經(jīng)由驗(yàn)證。碰到這種情況，要看看電感電流波形。

6、電感或者變壓器的選擇

這個(gè)也是用戶在調(diào)試過程中比較常見的現(xiàn)象，降頻主要由兩個(gè)方面導(dǎo)致。假如電感飽和電流夠大，可以考慮將CCM（連續(xù)電流模式）改變成DCM（非連續(xù)電流模式），這樣就需要增加一個(gè)負(fù)載電容了。良多用戶反應(yīng)，相同的驅(qū)動(dòng)電路，用a出產(chǎn)的電感沒有題目，用b出產(chǎn)的電感電流就變小了。驅(qū)動(dòng)芯片的最大電流來自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管散熱片的消耗，簡(jiǎn)樸的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所認(rèn)為了降低芯片的功耗，必需想辦法降低c、v和f.假如c、v和f不能改變，那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，留意不要引入額外的功耗。