mos管規格書參數詳解

mos管規格書參數詳解之讀懂每一個mos管參數

在了解mos管規格書參數詳解之前，先來看看mos管的每一個參數代表什么及說明，mos管除了G、S、D引腳和N溝道mos管和P溝道mos管之外還有很多具體的參數，每個詳細參數如下：

Rds(on)----------DS的導通電阻.當Vgs=10V時，MOS的DS之間的電阻

Id------------------最大DS電流.會隨溫度的升高而降低

Vgs----------------最大GS電壓.一般為：-40V~+40V

Idm---------------最大脈沖DS電流.會隨溫度的升高而降低，體現一個抗沖擊能力，跟脈沖時間也有關系

Pd-----------------最大耗散功率

Tj------------------最大工作結溫，通常為150度和175度

Tstg---------------最大存儲溫度

Iar-----------------雪崩電流

Ear---------------重復雪崩擊穿能量

Eas---------------單次脈沖雪崩擊穿能量

BVdss------------DS擊穿電壓

Idss---------------飽和DS電流，uA級的電流

Igss---------------GS驅動電流，nA級的電流.

gfs----------------跨導

Qg----------------G總充電電量

Qgs--------------GS充電電量

Qgd-------------GD充電電量

Td(on)---------導通延遲時間，從有輸入電壓上升到10%開始到Vds下降到其幅值90%的時間

Tr----------------上升時間，輸出電壓 VDS 從 90% 下降到其幅值 10% 的時間

Td(off)----------關斷延遲時間，輸入電壓下降到 90% 開始到 VDS 上升到其關斷電壓時 10% 的時間

Tf-----------------下降時間，輸出電壓 VDS 從 10% 上升到其幅值 90% 的時間

Ciss---------------輸入電容，Ciss=Cgd + Cgs.

Coss--------------輸出電容，Coss=Cds +Cgd.

Crss---------------反向傳輸電容，Crss=Cgc.

mos管規格書參數詳解說明

（一）

說明：MOS管漏極和源極最大耐壓值。

測試條件：在Vgs=0V，柵極和源極不給電壓。

影響：超過的話會讓MOSFET損壞。

（二）

說明：ID的漏電流。

測試條件：在Vgs=0V，在漏極和源極兩端給48V的電壓。

影響：漏電流越大功耗越大。

（三）

）

說明：柵極漏電流

測試條件：在Vgs=+-20V，在漏極和源極兩端不給電壓。

（四）

說明：開啟電壓

測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

影響：低于參考值可能出現不導通現象，設計時需要考慮范圍值。

（五）

說明：完全開啟，漏極和源極兩端最大過電流30A，

測試條件：在Vgs=Vds，在漏極和源極兩端電流控制在250uA。

影響：低于參考值可能出現不導通現象，設計時需要考慮范圍值。

（六）

說明：導通時，Vds的內阻

測試條件：在Vgs=10V，通過12A的電流；Vgs=4.5V，通過6A的電流，在漏極和源極兩端的內阻。

影響：內阻越小，MOS過的電流越大，相同電流下，功耗越小。

（七）

說明：跨導的單位是A/V。是源極電流Id比上柵極電壓Vgs，是柵極電壓對源極電流的控制作用大小，

跨導：

線性壓控電流源的性質可表示為方程 I=gV ，其中g是常數系數。系數g稱作跨導（或轉移電導），具有與電導相同的單位。 這個電路單元通常指放大器。

在MOS管中，跨導的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。在轉移特性曲線上，跨導為曲線的斜率。

（八）

說明：MOS管體二極管的正向導通壓降

測試條件：在VGS=0V，體二極管正向通過1A的電流。

（九）

說明：體二極管可承受最大連續續電流

測試條件：

影響：如果偏小，在設計降額不充裕的系統中或在測試OCP，OLP（逐周期電流限制保護（OCP)，限制最大輸出電流；過載保護(OLP)，限制最大輸出功率；的過程中會引起電流擊穿的風險

（十）

說明：

Ciss=Cgs+Cgd 輸入電容

Coss=Cds+Cgd 輸出電容

Crss=Cgd（米勒電容）

影響：Ciss：影響到MOS管的開關時間，Ciss越大，同樣驅動能力下，開通和關斷時間就越慢，開關損壞也就越大。較慢的開關速度對應會帶來較好的EMI

Coss和Crss：這兩項參數對MOSFET關斷時間略有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時，傳輸到MOSFET柵極電壓能力的大小，對雷擊測試項目有一點的影響。

（十一）

說明：    

Qg：柵極總充電電量

Qgs：柵極充電電量

Qgd：柵極充電電量

tD（on）：漏源導通延遲時間

tr:漏源電路上升時間

tD（off）：漏源關斷延遲時間

tf:漏源電路下降時間

影響：參數與時間相互關聯的參數，開關速度越快對應的優點是開關損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點是EMI特性差，MOSFET關斷尖峰過高。

mos管規格書參數詳解-MOS管發熱分析

1.電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了。

3.沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片。

4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。

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